金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子装置“，公开号CN117542888A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。
本文源自金融界
金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件和包括该半导体器件的电子装置“，公开号CN117542888A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。
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